Энергонезависимые микросхемы памяти нового поколения разрабатывают учёные ННГУ

Как рассказали ГТРК «Нижний Новгород» в Университете Лобачевского,  исследователей всего мира привлекают висмутсодержащие ферроэлектрики со слоистой структурой, впервые описанные Ауривиллиусом.

Учёными Университета Лобачевского под руководством декана химического факультета профессора Александра Князева были получены основные представители семейства фаз Ауривиллиуса состава: Bi2MoO6, Bi2WO6, Bi3NbTiO9, Bi4Ti3O12 and CaBi4Ti4O15. Фазы Ауривиллиуса долгое время остаются основными кандидатами в материалы для микросхем энергонезависимой памяти.

В настоящее время существующие виды оперативной памяти являются энергозависимыми, т.е. при отключении питания содержимое памяти стирается. Желание иметь энергонезависимую память в компьютерной технике давно стало очевидным. Разработки таковой ведутся давно и они уже есть,  например, ферроэлектрическая память, так называемая FRAM (Ferroelectric Random Access Memory).

Основным элементом микросхемы является тонкая пленка ферроэлектрика. Ферроэлектриками называются вещества, у которых при отсутствии внешнего электрического поля в определенном интервале температур существует спонтанная электрическая поляризация.

Работа микросхемы может осуществляться в экстремальных условиях, т.е. при высоких температурах. Устойчивость к воздействию температур позволит использовать данные микросхемы памяти на химических предприятиях для осуществления контроля над промышленными процессами в условиях синтеза, а также в пожароохранных системах, оснащенных системами видеозаписи.